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Production

Peu coûteux et sans ombrage

Un procédé industriel simplifié pour des cellules solaires en silicium à haut rendement

Une équipe de chercheurs de l’EPFL et du CSEM à Neuchâtel a publié dans la revue Nature Energy une méthode étonnante et simplifiée pour placer les contacts électriques au dos des cellules solaires en silicium cristallin. Ce procédé peu coûteux permet de libérer la face avant de tout ombrage et d’obtenir des rendements qui dépassent déjà les 23% en laboratoire.

08.05.2017  | 
Les contacts positifs et négatifs étant situés à l'arrière de la cellule, l'avant ne souffre d'aucun ombrage.
Les contacts positifs et négatifs étant situés à l'arrière de la cellule, l'avant ne souffre d'aucun ombrage.

Dans la quête de rendements toujours plus élevés des cellules solaires à bas coûts de fabrication, une des approches les plus prometteuses pour le silicium cristallin consiste à déplacer tous les contacts électriques sur la face arrière de la cellule. Ainsi, la partie de la cellule exposée au soleil est libérée de tout ombrage et le courant augmente. Cette approche nécessite en général de nombreuses étapes délicates de fabrication, puisqu’il s’agit de définir à l’arrière des cellules des zones fines où les contacts négatifs et positifs vont collecter les électrons et les trous (charges positives). La réalisation des zones alternées positives et négatives nécessite en général de nombreuses étapes de photolithographie ou de masquage.

Les équipes du PV-lab de l’EPFL et du CSEM PV-center ont réussi à mettre au point un procédé astucieux où les contacts positif et négatif s’auto-alignent. Cela est rendu possible en déposant d’abord par procédé plasma des contacts négatifs (-) à travers un masque qui définit la géométrie. Ensuite une deuxième couche (+) est déposée sur toute la surface. La croissance de cette couche est telle que le contact négatif, même recouvert de la couche positive, est maintenu. Le reste devient positif.

Schéma de principe. La couche positive recouvre tout l’arrière de la cellule, définissant le contact positif («hole contact») tout en conservant le contact négatif («tunneling electron contact»).
Schéma de principe. La couche positive recouvre tout l’arrière de la cellule, définissant le contact positif («hole contact») tout en conservant le contact négatif («tunneling electron contact»). | Figure: EPFL/CSEM
Schéma de principe de la croissance épitaxiale sélective.
Schéma de principe de la croissance épitaxiale sélective. | Figure: EPFL/CSEM

Grâce à ce procédé simple, les chercheurs ont déjà réussi à atteindre un rendement de 23,2% sur des cellules de 25 cm2. À terme, l’efficacité pourrait dépasser les 26%. L’EPFL et le CSEM travaillent avec le groupe industriel Meyer Burger, un des principaux fabricants d’équipements de ligne de production, à la mise au point de procédés industriels de production pour ce type de dispositifs, valorisant les technologies de silicium dites à hétérojonction à la base de ces travaux.

Les travaux ont été financés par le groupe Meyer Burger, la Commission pour la technologie et l’innovation, l’Office fédéral de l’énergie et continuent également dans le cadre du projet européen H2020 Nextbase.

Références

  • Andrea Tomasi, Bertrand Paviet-Salomon, Quentin Jeangros, Jan Haschke, Gabriel Christmann, Loris Barraud, Antoine Descoeudres, Johannes Peter Seif, Sylvain Nicolay, Matthieu Despeisse, Stefaan De Wolf & Christophe Ballif: Simple processing of back-contacted silicon heterojunction solar cells using selective-area crystalline growth. Nature Energy 2, Article number: 17062 (2017). doi:10.1038/nenergy.2017.62
    www.nature.com/articles/nenergy201762

Téléchargements

  • C_1705_News (PDF)

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